三菱電機株式会社　研究開発部門の『【尼崎/WEB面接可】パワー半導体デバイス(SiC)に関する研究開発【先端技術総合研究所】』の求人情報｜中途採用の求人情報は、JOB Change

●採用背景
環境意識の高まりを受け、カーボンニュートラルの実現に向けたパワーエレクトロニクス機器の省エネ化が求められています。Si、SiCなどを用いたパワー半導体デバイスはパワーエレクトロニクス機器のいわば心臓であり、省エネ化のキーとなる技術です。弊社はパワーデバイス分野で長い歴史を有しており、特にSiCデバイスでは鉄道向けモジュールをはじめ世界初となる製品を生み出してきました。今後のパワーデバイス技術のさらなる進化に向け、研究開発分野で長く活躍していただける人材を募集します。

★先端技術総合研究所について
https://www.mitsubishielectric.co.jp/saiyo/graduates/philosophy/place/point/

●組織のミッション
先進パワーデバイス技術部
Si、SiCをはじめとするパワーデバイスの研究開発を通じてパワーエレクトロニクス技術の発展を担い、広く社会に貢献する。

素子実証グループ
デバイス製造の上流にあたるSiC結晶の評価やエピタキシャル成長技術の開発と、下流にあたるパワーデバイスの評価、解析、信頼性検証に関する研究開発を行うことで、パワーデバイス技術をより進化させていく。また、開発した技術をパワーデバイス製作所を通じて広く世の中に展開する。

●職務内容
SiCデバイス(MOSFET/Diode)技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所(伊丹/福岡/熊本)への報告も実施していただきます。

【変更の範囲】
会社の定める業務(※)
(※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります

●具体的には
具体的な職務は以下になります。
・SiC結晶品質向上(基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発)
・SiC-MOSFETの信頼性検証
・パワーモジュールの耐環境信頼性検証
いずれも単独ではなくチームでの職務となります。弊課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。

勤務地は先端技術総合研究所(尼崎市)が主になります。出社勤務と在宅勤務のハイブリッドが可能です。
パワーデバイス製作所(伊丹市/福岡市/熊本県合志市)への報告や折衝も担当していただきます。
開発技術の社外発表(国際学会)もお願いする場合があります。

技術紹介(SiC)
https://www.mitsubishielectric.co.jp/corporate/randd/list/device/a24/index.html

投資に関する広報発表
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/0314-b.html

https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/0728.pdf

パワーデバイス製品HP
https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/index.html

●業務の魅力
研究や技術開発が主の業務となりますが、パワーデバイス製作所をはじめとした製品を扱う事業所とも深く関わりながら業務を遂行します。数年かけて開発した技術を世界に向けて発表することや、製作所と協力しながら製品化への課題を解決していくことは大きなやりがいを感じていただけると思います。

●事業/製品の強み
弊社はSiCデバイスに関して早い時期から研究開発を進め世界初となる鉄道営業車両への適用を行うなど、パワーデバイス業界を技術面でリードする立場にあります。パワーデバイス、パワーモジュールは昨今注目を集めている分野であり国内外の各社の競争が激化する中で、弊社は国内で1位、グローバルでも高いシェアを有しています。

●職場環境
残業時間 ：月平均20時間
出張：有 (年に数回程度/個人による)
転勤可能性：有 (個人の適性による)
（※個人によりますため、詳細は面談の中で適宜ご説明差し上げます。）
リモートワーク：有 (制限は特になし/頻度は応相談)
（※当社制度対象に該当し、上長の許可を得た場合）
中途社員の割合：約10%

●想定されるキャリアパス
入社後は当面の間前述の業務を担当していただきます。数年後の状況を見てチームリーダーとして活躍いただくことを考えていますが、本人の希望を踏まえた柔軟な対応が可能です。

●使用言語、環境、ツール、資格等
日常的には日本語が主になりますが、国際学会での発表や情報収集などで英語を使用します。
必須となるツールや資格は特にありませんが、プログラミングのスキルがあると業務上有利です。

★三菱電機㈱　開発本部　中途採用サイト
https://progres02.jposting.net/pgmitsubishielectric/u/job.phtml?randd_code=7&_ga=2.208481042.1820034685.1615895685-1715661087.1611222825

勤務地

【雇入れ直後】
兵庫県尼崎市塚口本町
※JR猪名寺から15分

【変更の範囲】
会社の定める場所(※)
(※)業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワーク を行う場所（自宅等）を含む。

応募資格

●必須
・半導体に関する基礎的な知識(理論、電気特性など)をお持ちの方。

●歓迎
下記に関する知識、経験をお持ちの方
・半導体デバイスの信頼性検証技術
・結晶欠陥評価技術およびエピタキシャル成長技術
・半導体デバイス設計技術およびプロセス技術
・パワーエレクトロニクス機器の設計技術

●求める人物像
・活気があり、周囲と協調しながら職務を遂行できる方
・課題の本質を捉える洞察力があり解決策の提案ができる方
・主体的に活動できる方

待遇

【勤務条件】
■雇用形態：正社員
■試用期間：3ヶ月（試用期間中の労働条件変更無）
■賃金形態：月給制
■月給：23万円～
■想定年収：400万円 ～ 1,000万円（経験・役割等による）
■残業手当：有（残業時間に応じて支給。深夜勤務、休日手当は別途支給有。）
■賃金改定：年1回（4月）
■賞与：年2回（6月・12月）
■退職金：有
■社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険
■各種手当：通勤手当（会社規定に基づき支給）、扶養手当、外勤手当、など

【就業時間】
■就業時間：8:30～17:00
■所定労働時間：7時間45分（休憩45分）
■フレックスタイム制：有（コアタイム11:15～14:00）

【休日】
■年間休日：126日（2018年度実績）
　※内訳：土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダーに準じる）
■年次有給休暇：20日～25日
　※入社時より付与。付与日数は入社日により変動（4～20日）。
■その他：チャージ休暇2～4日（30歳、40歳、50歳到達年）

【その他】
■福利厚生：寮、社宅、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、
社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など