三菱電機株式会社 半導体・デバイス事業の『【広島/WEB面接可】パワー半導体デバイスのプロセスエンジニア【パワーデバイス製作所】』の求人情報

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【広島/WEB面接可】パワー半導体デバイスのプロセスエンジニア【パワーデバイス製作所】

●採用背景
パワーデバイスは、脱炭素社会への貢献に向けたキーデバイスとして、自動車の電動化や民生機器のインバーター化の進展に伴い、グローバルでの高成長が期待されています。また、当社のFA制御システム・空調冷熱システム・ビルシステム・電動化/ADASにおけるキーデバイスでもあることから、当社の重点成長事業と位置づけており、25年度にパワーデバイス事業の売り上げを現在の1.6倍以上となる2400億円以上に引き上げる計画をしています。今後の事業拡大に伴う増員のため、当該業務においてご活躍いただける方を募集しています。

●職務内容
福山事業所でのパワー半導体プロセスエンジニア業務

【変更の範囲】
会社の定める業務(※)
(※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります

≪具体例≫
・パワー半導体のウエハプロセス開発、設備技術
・新規設備の選定・導入、装置立上げ、量産移管、量産管理、その他生産効率化業務
※ウェハプロセス例:裏面研削、化学処理、写真製版、成膜(スパッタ)、ダイシング、熱処理、イオン注入など

●組織のミッション
・本部・事業部
 半導体製品及び半導体関連製品の製造及び販売
・ウエハ技術部
 パワーデバイス半導体ウエハの製品技術(開発試作、量産移管、量産管理、不良率低減)、プロセス・設備技術及びテスト技術

●業務のやりがい、魅力
・脱炭素社会や省エネのキーデバイスとして、グローバルでの高成長を見込むパワーデバイス事業に携わることができます。
・当製作所で製造するパワーデバイスは、既に世界でも高いシェアを獲得しており、シェアの拡大含め成長を加速させる製品や技術に携わることができます。

●職場環境
・在宅勤務制度あり

●想定されるキャリアパス
これまでのご経験や保有する技術スキルに基づき、担当職務を決定し、その職務で一定期間経験を積んでいただきます。その後は個人の適性や業務状況に応じ、各プロジェクトのとりまとめや、グループリーダー、将来的にはマネジメント職等を担っていただく可能性があります。

勤務地

【雇入れ直後】
広島県福山市

【変更の範囲】
会社の定める場所(※)
(※)業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワーク を行う場所(自宅等)を含む。

応募資格

●必須
※下記いずれか
・SiウエハプロセスもしくはSiパワーデバイスの開発経験者
・半導体関連の基礎知識があり、特にプロセス技術の知識がある方
・生産設備の立上げ及び安定稼動化、生産性改善、品質向上などの業務経験がある方
《ウェハプロセス例》 裏面研削、化学処理、写真製版、成膜(スパッタ)、ダイシング、熱処理、イオン注入など

●尚可
・12φのSiウエハプロセス経験者歓迎
・新規ウエハプロセスラインの立ち上げ経験者歓迎
・ビジネス英会話ができる方、習得に抵抗のない方、尚歓迎

●求める人物像
・チームワークを重視して行動できる方
・困難な状況を打破できるタフな方

待遇

【勤務条件】
■雇用形態:正社員
■試用期間:3ヶ月(試用期間中の労働条件変更無)
■賃金形態:月給制
■月給:23万円~
■想定年収:550万円 ~ 900万円(経験・役割等による)
■残業手当:有(残業時間に応じて支給。深夜勤務、休日手当は別途支給有。)
■賃金改定:年1回(4月)
■賞与:年2回(6月・12月)
■退職金:有
■社会保険:雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険
■各種手当:通勤手当(会社規定に基づき支給)、扶養手当、など

【就業時間】
■就業時間:8:30~17:00
■所定労働時間:7時間45分(休憩45分)
■フレックスタイム制:有

【休日】
■年間休日:127日(2023年度)
 ※内訳:土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など(会社カレンダーに準じる)
■年次有給休暇:20日~25日
 ※入社時より付与。付与日数は入社日により変動(4~20日)。
■その他:チャージ休暇2~4日(30歳、40歳、50歳到達年)

【その他】
■福利厚生:寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、
社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など

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三菱電機株式会社 半導体・デバイス事業

広島県福山市 半導体開発 ( 機械・電気・電子系 )

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会社情報

事業内容・商品・販売先等

エレクトロニクス、エネルギー、宇宙、通信、家電、半導体など、あらゆる電気機器の開発・製造・販売 ※三菱電機はホームエレクトロニクスから通信機器、プラントなどの多彩なインフラ、さらに国家プロジェクトの宇宙開発関連機器に至るまで、幅広い分野を網羅している総合電機メーカーです。先端分野で培った様々な技術を融合させて、より快適な社会、新しい時代を切り拓くために、常に挑戦し続けています。

事業説明
パワー半導体デバイスなど、低消費電力製品の開発で社会の低炭素化に貢献する。
設立
1921年1月15日
本社 所在地
東京都千代田区丸の内2-7-3 東京ビル
代表者
漆間 啓
資本金
175,820百万円