キオクシア株式会社の『半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア(DRYエッチング、CVD/ALD成膜)[B]』の求人情報

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半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア(DRYエッチング、CVD/ALD成膜)[B]

【職務内容】
当社の三次元フラッシュメモリの更なる高積層化実現のためのエッチング技術/成膜技術/基板接合技術開発、プロセスインテグレーション技術開発。半導体製造装置メーカーの窓口として、折衝/交渉や共同研究なども担当していただきます。
将来的には、若手エンジニアの育成や組織づくり、外部機関との共同研究推進など、中長期的な戦略策定にも携わっていただきます。

【採用背景】
現在のフラッシュメモリ製造業界におけるトレンドは、高積層化技術開発です。当社では、現在96層構造を有した三次元フラッシュメモリ (BiCS FLASH)を量産化しており、更なる高積層化に向けての研究開発も進めております。その高積層化のカギを握るのは、エッチング技術、及び成膜技術/基板接合技術となります。
それぞれのプロセス技術の知見はもちろん、製造装置の基本的構造及び特性を熟知し、将来技術戦略の提案/策定/実行を進めるチームメンバーを求めています。
※三次元フラッシュメモリ:BiCS FLASHについて
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/product/memory/bics.html

勤務地

【Web面接実施中】

◆四日市工場(三重県四日市市)
・近鉄富田駅より車10分、バス20分
※名古屋駅より急行で30分弱
・東名阪道四日市東ICより車5分

●敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり)

応募資格

【必須】
・半導体前工程のエッチング技術/成膜技術/基板接合技術において、ハードウェア/プロセス/インテグレーション関連業務に携わったご経験をお持ちの方
※半導体製造装置メーカー/半導体デバイスメーカー出身者歓迎

【歓迎】
・プロジェクトをリードしたご経験をお持ちの方
・若手エンジニアの育成や組織づくりのご経験をお持ちの方

【学歴】
◆高専・大学・大学院卒

待遇

・給与:月給21万円以上
※上記は初任給(学卒新人)です。経験・能力を考慮し決定。

・勤務時間 :フレックスタイム制(※標準労働時間7時間45分)
・休日・休暇 :完全週休2日制(土日)、祝日、 GW、夏季、年末年始
       有給、育児休暇、介護休暇・赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇等
・諸手当   :次世代育成手当
       (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)
        住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当等
・寮・社宅  :独身寮、単身寮、家族社宅
・その他   :昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費全額支給
       社会保険完備、カフェテリアプラン、保養所、スポーツクラブ等

※フレックスタイム制、次世代育成手当、住宅費補助、時間外勤務手当については管理職は対象外

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キオクシア株式会社

三重県四日市市 半導体開発 ( 機械・電気・電子系 )

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会社情報

事業内容・商品・販売先等

メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業

発足
2017年4月1日
資本金
4,734億2万5千円
本社事務所
東京都港区芝浦3-1-21 田町ステーションタワーS
株主
キオクシアホールディングス株式会社 (100%)
代表者
代表取締役社長 成毛 康雄
従業員数
単独:約10,000名,連結:約12,000名

Mission 「記憶」で世界をおもしろくする

「記憶」の可能性を追求し、新しい価値を創り出すことで、これまでにない体験や経験を生み出し、世界を変えていく

Vision

「記憶」の技術をコアとして、一人ひとりの新たな未来を実現できる製品やサービス、仕組みを提供する